技术文章 / article 您的位置:网站首页 > 技术文章 > 倍加福接近开关NCN8-18GM40-N0大量现货库存
产品分类

Product category

倍加福接近开关NCN8-18GM40-N0大量现货库存

发布时间: 2023-02-08  点击次数: 268次

倍加福接近开关NCN8-18GM40-N0大量现货库存

P+F接近开关工作原理简介:当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为U=K·I·B/d其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号,同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的,当B值达到一定的程度(如B1)时,霍尔开关内部的触发器翻转,霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出,和其他传感器类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型(双极性)、双信号输出之分。

产品应用:

传感器、执行器、编码器、电机马达,工业相机

工厂自动化过程控制

包装标签打印设备

工业仪器设备

EMS电路板组件

工业安全光栅光幕

设备电池、半导体

现场总线: DeviceNet, CANopen, Profibus, Ethernet, 

船舶电子NMEA 2000、轨道交通

LED户外显示屏、户外LED照明

NJ15+U1+W            

NBB5-18GM50-E0             

NBN8-18GM50-E2-V1          

NJ20+U1+E2

NBB5-18GM50-E2       

NBN8-18GM40-Z0            

 NJ20+U1+W                  

NBB10-30GM50-E0     

NBN8-18GM60-WS       

NJ30+U1+W                  

NBB10-30GM50-E2            

NBN8-18GM60-WO,        

NJ30+U1+E2           

NBB15-30GM50-WS           

 NBN15-30GM50-E2            

NJ1.5-8GM-N

NBB15-30GM50-WO      

NBN15-30GM50-E0           

 NJ2-12GM-N                 

NBB20-L2-E2-V1    

NBN15-30GM40-Z0      

NJ4-12GM-N                

 NBN4-12GM50-E0-V1          

NBN4-12GM50-E2

LVL-T1-G3S-E5PG-NA   

NBN4-12GM50-E0             

NCN25-F35-A2-250-V1        

NJ40+U1+W

NJ5-18GM-N           

NBN40-L2-E2-V1            

 NBN40-L2-A2-V1            

 NBN8-18GM50-E2-V1

NBB2-12GM50-E0       

NBN4-12GM50-E2-V1          

NJ4-12GM40-E2              

NBB2-12GM50-E2        

NBB2-12GM50-E0-V1    

NBN5-F7-E2                 

NBN5-F7-E0                 

NJ4-12GM40-E2-V1      

NBB2-12GM50-E2-V1    

NBN8-18GM50-E0             

NJ8-18GM-N                 

NBB4-12GM50-E0-V1

NBN8-18GM50-E2       

NJ15+U1+E2                 

NBB4-12GM50-E2-V1          

NBN8-18GM50-E0-V1 

倍加福接近开关NCN8-18GM40-N0大量现货库存





Baidu
map